10μF 1.0± 0.2Vrms 120Hz? 1000pF<容量≦10μF 1.0± 0.2Vrms 1kHz? 容量≦ 1000pF 1.0± 0.2Vrms 1MHz? 2、測量儀器的區(qū)別對丈量成果的影響...." />

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貼片電容容值偏低的原因及解決方法

更新時間：2017-01-11 19:02:08 點擊次數(shù)：4992次
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1、測驗條件對測量成果的影響

首先思考測量條件的疑問，關(guān)于不一樣容值的貼片電容會選用不一樣的測驗條件來測量容值，首要在測驗電壓的設(shè)定和測驗頻率的設(shè)定上有區(qū)別，下表所示為不一樣容值的量測條件:
電容 AC 電壓 頻率
容量>10μF 1.0± 0.2Vrms 120Hz
1000pF<容量≦10μF 1.0± 0.2Vrms 1kHz
容量≦ 1000pF 1.0± 0.2Vrms 1MHz

2、測量儀器的區(qū)別對丈量成果的影響.

大容量的電容（一般指1UF以上）測量時更簡單呈現(xiàn)容值偏低的景象，形成這種景象的首要要素是施加在電容兩頭的實踐電壓不能到達(dá)測驗條件所需要的電壓，這是因為加在電容兩頭的測驗電壓因為儀器內(nèi)部阻抗分壓的要素與實踐顯示的設(shè)定電壓不共同。為了使測量成果差錯降到最低,咱們主張將儀器調(diào)校并盡量把儀器的設(shè)定電壓跟實踐加在電容兩頭所測的電壓盡量調(diào)整,使實踐于待測電容上輸?shù)某鲭妷汗餐?

留意： 上表中所示的電壓是指實踐加在測驗電容兩頭的有效電壓（抱負(fù)電壓）。
因為測驗儀器的要素，加在電容兩頭實踐的輸出電壓與設(shè)定的測量電壓(抱負(fù)電壓）實踐上可能會有所收支。

3、影響高容量電容容值丈量偏低的要素


（1） 測驗儀器內(nèi)部的阻抗之大小影響.
因為不一樣的測驗儀器之間的內(nèi)部阻抗都不一樣，形成儀器將總電壓分壓而使加在測驗電容兩頭的實踐電壓變小。在實踐的測驗過程中，咱們有必要先運(yùn)用萬用表等東西測驗夾具兩頭的實踐電壓，以斷定加在測驗貼片電容兩頭的輸出電壓。
（2）不一樣阻抗的測驗儀器的輸出電壓比照如下：
儀器內(nèi)阻100Ω
1V * [100Ω/(100Ω+16Ω)] = 0.86V
10uF測驗電容的兩頭電壓 ：
1V * [ 16Ω/(100Ω+16Ω)] = 0.14V
均勻電容值讀數(shù) ： 6-7μF
儀器內(nèi)阻1.5Ω：
1V * [1.5Ω/(1.5Ω+16Ω)] = 0.086V
10uF測驗電容兩頭電壓 ：
1V * [16Ω/(1.5Ω+16Ω)] = 0.914V
均勻電容量值讀數(shù) ： 9-10μF

4、測量環(huán)境條件對丈量成果的影響

貼片陶瓷電容（X7R/X5R/Y5V）系列商品被稱為非溫度補(bǔ)償性元件,即在不一樣的工作溫度環(huán)境下,電容量會有比較顯著的改變，在不一樣的工作溫度下，電容標(biāo)稱容值與實踐容值之間的區(qū)別。例如，在40℃時的測驗容量將比25℃時的測驗容量低了挨近20%。由此可以看出，在外部環(huán)境溫度比較高的情況下,電容容值的測驗值就會顯的偏低。咱們一般主張放置在20℃的環(huán)境下一段時刻,使資料處于安穩(wěn)的測驗環(huán)境下再進(jìn)行容值測驗。

5、貼片陶瓷電容商品資料老化景象

資料老化是指電容的容值隨著時刻下降的景象，這再一切以鐵電系資料做介電質(zhì)的資料商品中均有發(fā)作，是一種天然的不可避免的景象。要素是因為內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)隨溫度和時刻產(chǎn)生了改變致使了容值的下降，歸于可逆景象。當(dāng)對老化的資料施加高于資料居里溫度段時刻后（主張進(jìn)行容值康復(fù)所運(yùn)用之條件為150℃/1hour），當(dāng)環(huán)境溫度康復(fù)到常溫后（常溫25℃下放置24小時）,資料的分子結(jié)構(gòu)將會回到初始的狀態(tài)。資料將由此開端老化的又一個循環(huán)，貼片電容的容值將康復(fù)到正常標(biāo)準(zhǔn)以內(nèi)。

用以下方法驗證：把測驗容量偏低的電容器浸在錫爐或許過回流焊后，再進(jìn)行測驗，容值會康復(fù)到正常規(guī)模以內(nèi)?？蛻粼谏唐凡簧暇€前，事先進(jìn)行容值康復(fù)工作，只需要將電容置PCB板上正常出產(chǎn)加工時，電容通過回流焊或許波峰焊后，就會康復(fù)到正常的容值規(guī)模了。


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