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陶瓷電容器中,尤其是高誘電率系列電容器(B/X5R、R/X7R特性),具有靜電容量隨時(shí)間延長(zhǎng)而降低的特性。當(dāng)在時(shí)鐘電路等中使用時(shí),應(yīng)充分考慮此特性,并在實(shí)際使用條件及實(shí)際使用設(shè)備上進(jìn)行確認(rèn)。
例如如下圖所示:經(jīng)過(guò)的時(shí)間越長(zhǎng),其實(shí)效靜電容量越低。(在對(duì)數(shù)時(shí)間圖上基本呈直線線性降低)下圖橫軸表示電容器的工作時(shí)間(Hr),縱軸表示的是相對(duì)于初始值的靜電容量的變化率的圖表。
如圖中所示靜電容量隨著時(shí)間延長(zhǎng)而降低的特性稱為靜電容量的經(jīng)時(shí)變化(老化)。
此外對(duì)于老化特性,不僅僅限于本公司的產(chǎn)品,在所有高誘電率型電容器中都有此現(xiàn)象,在溫度補(bǔ)償用電容器中沒(méi)有老化特性。
另外因老化而導(dǎo)致靜電容量變小的電容器,當(dāng)由于工序中的焊接作業(yè)等使溫度再次被加熱到居里溫度(約125°C)以上時(shí),靜電容量將得到恢復(fù)。
而且當(dāng)電容器溫度降至居里溫度以下時(shí),將再一次開始老化。
陶瓷電容器中的高誘電率系列電容器,現(xiàn)在主要使用以BaTiO3(鈦酸鋇)作為主要成分的電介質(zhì)。
BaTiO3具有如下圖所示的鈣鈦礦(perovskite)形的晶體結(jié)構(gòu),在居里溫度以上時(shí),為立方晶體(cubic),Ba2+離子位于頂點(diǎn),O2-離子位于表面中心,Ti4+離子位于立方體中心的位置。
上圖是在居里溫度(約125℃)以上時(shí)的立方體(cubic)的晶體結(jié)構(gòu),在此溫度以下的常溫領(lǐng)域,為一個(gè)軸(C軸)伸長(zhǎng),其他軸略微縮短的正方晶系(tetragonal)晶體結(jié)構(gòu)。
此時(shí)作為Ti4+離子在結(jié)晶單位的延長(zhǎng)方向上發(fā)生了偏移的結(jié)果產(chǎn)生極化,不過(guò)這個(gè)極化即使在沒(méi)有外部電場(chǎng)或電壓的情況下也會(huì)產(chǎn)生,因此稱為自發(fā)極化(spontaneous polarization)。
像這樣具有自發(fā)極化,而且可以根據(jù)外部電場(chǎng)轉(zhuǎn)變自發(fā)極化的朝向的特性,被特稱為強(qiáng)誘電型。
(有時(shí)將菱面體晶系稱為三方晶系,把斜方晶系稱為單斜晶系。)
另外,當(dāng)將BaTiO3加熱到居里溫度以上時(shí),晶體結(jié)構(gòu)將從正方晶體向立方晶體進(jìn)行相轉(zhuǎn)移。伴隨此變化自發(fā)極化將消失,并且疇也將不存在。
當(dāng)將其冷卻到居里溫度以下時(shí),在居里溫度附近,從立方晶體向正方晶體發(fā)生相轉(zhuǎn)移,并且C軸方向?qū)⒀娱L(zhǎng)約1%,其他軸將略微縮短,自發(fā)極化及疇將生成。同時(shí)晶粒將受到因變形而產(chǎn)生的壓力。
在此時(shí)晶粒內(nèi)生成多個(gè)微小的疇,各個(gè)疇所具有的自發(fā)極化處于即使在低電場(chǎng)的情況下也很容易發(fā)生相轉(zhuǎn)變的狀態(tài)。
如果在居里溫度以下,以無(wú)負(fù)載的狀態(tài)放置,隨著時(shí)間的延長(zhǎng)朝著隨機(jī)方向生成的疇將具有更大的尺寸,并且向著能量更趨穩(wěn)定的形態(tài)(圖90°domain)逐漸進(jìn)行再配列,從而釋放由于晶體的變形而帶來(lái)的壓力。
除此之外晶界層的空間電荷(移動(dòng)緩慢的離子及空隙點(diǎn)等)將發(fā)生移動(dòng),并產(chǎn)生空間電荷的極化??臻g電荷的極化將對(duì)自發(fā)極化產(chǎn)生作用,阻礙自發(fā)極化的相轉(zhuǎn)變。
所以自發(fā)極化從生成開始隨著時(shí)間的延長(zhǎng),逐漸向著自發(fā)極化趨于穩(wěn)定的狀態(tài)進(jìn)行再配列,與此同時(shí)在晶界層產(chǎn)生空間電荷極化,并使自發(fā)極化的相轉(zhuǎn)變受到阻礙。
在這種狀態(tài)下為了使各疇所具有的自發(fā)極化發(fā)生相轉(zhuǎn)變,必需要有更強(qiáng)的電場(chǎng)。
與單位體積內(nèi)的自發(fā)極化的相轉(zhuǎn)變相同的是電容率,因此如果減少在弱電場(chǎng)下發(fā)生相轉(zhuǎn)變的疇,靜電容量將降低。